机译:使用掺杂剂隔离的肖特基接触中增强的载流子注入:蒙特卡洛研究
Departamento de Fisica Aplicada, Universidad de Salamanca, 37008 Salamanca, Spain;
机译:掺杂剂隔离的肖特基势垒SoI MOSFET的蒙特卡洛研究:增强RF性能
机译:通过NiGeSn-GeSn接触中的杂质隔离进行肖特基势垒调谐
机译:具有外延NiSi2接触和掺杂剂偏析的肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管的实验I-V和C-V分析
机译:Ni和Pt锗化物/ n-Ge接触的肖特基势垒高度调整
机译:蒙特卡罗模拟半导体异质结构中的自旋极化传输和通过肖特基势垒的自旋注入。
机译:通过低温微波退火通过掺杂剂隔离技术调整肖特基势垒高度
机译:镍硅化过程中掺杂物的偏析形成陡峭的低肖特基势垒接触