机译:透射电子显微镜比较正偏压温度应力前后非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的组成和原子结构
Univ Michigan, Coll Engn, Dept EECS, Ann Arbor, MI 48109 USA;
Penn State Univ, Mat Res Inst, University Pk, PA 16802 USA;
Univ Michigan, Coll Engn, Dept EECS, Ann Arbor, MI 48109 USA;
Univ Michigan, Coll Engn, Dept EECS, Ann Arbor, MI 48109 USA;
机译:高温下的正偏应力在非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管中产生缺陷
机译:非晶铟镓锌氧化锌薄膜晶体管中正栅极偏置应力的时间温度依赖性及其恢复
机译:非晶铟镓锌锌氧化物薄膜晶体管在照明应力下从负偏压中恢复正偏压应力的机制
机译:AC栅极 - 漏极偏压对GOA应用的非晶铟镓锌氧化锌晶体管的偏压研究
机译:关于偏压应力施加对非晶铟 - 镓 - 锌 - 氧化锌薄膜晶体管的可逆效应
机译:使用溶液法低温制造用于非晶铟-镓-氧化锌薄膜晶体管的HfO2钝化层
机译:正栅偏置应力下非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管阈值电压漂移的热能分析