1200VクラスのSBD内蔵SiCトランジスタを开発産総研と富士電機

摘要

産業技術総合研究所（産総研、中鉢良治理事長）先進パワーエレクトロニクス研究センター(奥村元研究センター長).SiCパワーデバイスチーム原田信介研究チーム長らのグループは、富士電機との共同研究で、炭化ケィ素（SiC)半導体を用いた1200V耐電圧（耐圧）クラスのトランジスタである縦型MOSFETとして、低いオン抵抗と内蔵ダイォードの高い信頼性を両立した独自構造のデバイス（SWITCH-MOS ： SBD-Wall Integrated Trench MOS)を開発し、量産レベルの試作品で性能を実証した（図1)。