1200V SiC MOSFET晶体管的高温可靠性研究

摘要

高温可靠性是目前限制SiC MOSFET晶体管高温应用的关键问题之一。本文介绍了基于国内碳化硅器件工艺平台研制的1 200 V SiC MOSFET器件的直流特性,并通过高温栅偏（HTGB）和高温反偏（HTRB）试验对器件高温可靠性进行测试分析。试验结果表明：所研制的1 200 V SiC MOSFET器件在经过168 h的HTGB和HTRB可靠性试验后,所有测试器件的击穿电压〉1 200 V,阈值电压偏移量〈15%,导通电阻偏移量〈15%,显示出优良的器件鲁棒性,也初步证明了国产SiC MOSFET器件的设计、工艺及其研制的可行性。