机译:背散射电子对8-28 keV电子与钨碰撞产生的总电子产率的贡献
Atomic Physics Laboratory, Department of Physics, Banaras Hindu University, Varanasi 221 005, India;
backscattering yields; secondary electron yield; stopping power;
机译:背向散射电子对8–28 keV电子与钨碰撞产生的总电子产率的贡献
机译:背向散射电子对8a?28 keV电子与钨碰撞产生的总电子产率的贡献
机译:8-keV电子与厚钨靶的碰撞引起的反向散射电子的能量和角分布
机译:Bremsstrahlung的能量和角度分布在CH_4分子上的4KeV电子碰撞中产生的
机译:绝对致辐射能:金上的53 keV电子
机译:全息和相干衍射成像低(30-250eV)和高(80-300 kev)能量电子:历史原则和最近的趋势
机译:裸离子与原子碰撞产生的K x射线:Kr ^ {36 +},ar ^ {18+}和Ne ^ {10 +} + ar碰撞中多电子转移的贡献
机译:库仑聚焦和10 keV He(sup +)+ He碰撞中产生的自电离电子的“路径”干扰。