机译:解异质结构中太赫兹辐射的自由载流子吸收
Mathematical Physics, Lund University, Box 118, S-22100 Lund, Sweden;
Laboratoire Pierre Aigrain, Ecole Normale Superieure, CNRS (UMR 8551), Universite P. et M. Curie, Universite D. Diderot,24 rue Lhomond F-75005 Paris, France;
Laboratoire Pierre Aigrain, Ecole Normale Superieure, CNRS (UMR 8551), Universite P. et M. Curie, Universite D. Diderot,24 rue Lhomond F-75005 Paris, France;
Laboratoire Pierre Aigrain, Ecole Normale Superieure, CNRS (UMR 8551), Universite P. et M. Curie, Universite D. Diderot,24 rue Lhomond F-75005 Paris, France;
Institute for Microstructural Sciences, National Research Council, Ottawa, Ontario, Canada K1A0R6;
multilayers; superlattices; Ⅲ-Ⅴ semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and heterojunctions; semiconductors; quantum well devices (quantum dots, quantum wires, etc.);
机译:半导体异质结构中太赫兹辐射的非线性自由载流子吸收的计算
机译:通过光学相位测量直接确定双异质结构二极管中的自由载流子注入密度,自由载流子吸收和复合因子。第三部分
机译:量子点对Ge / Si(001)异质结构中太赫兹辐射的吸收
机译:太赫兹半导体异质结构激光激活吸收
机译:一种利用自由载流子色散效应和辐射损耗机制的硅波导光调制器。
机译:应变诱导的SiGe光学调制器中的等离子体扩散效应和自由载流子吸收
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