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太赫兹辐射在半导体异质结的吸收研究

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通过考虑多光子过程和导带—价带间碰撞离化效应,研究了强THz场辐照下异质结的自由载流子吸收率.在计算中,我们考虑了电子—声学声子散射、电子—极化光学声子散射和分别来自远程杂质和本底杂质的弹性散射.计算结果表明,越强的或频率越底的THz辐照对二维半导体输运的影响越大.计算的辐照频率为0.64THz的电磁辐射在InAs/AlSb异质结的吸收率与实验结果吻合很好.

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来源
《第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议》|2004年|612-615|共4页
会议地点大连
作者
曹俊诚;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类基础理论;
关键词
太赫兹辐射; 异质结; 碰撞离化; 吸收率;

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