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机译:InAs / InP纳米结构的单个和小型集成体的电学性质
Instituto de Fisica 'Gleb Wataghin', Universidade Estadual de Campinas, CP 6165,13083-790, Campinas-SP, Brazil;
atomic force microscopy (AFM); Ⅲ-Ⅴ semiconductors; quantum dots;
机译:GaAs纳米线侧壁上InP和InP / InAs纳米结构的可控生长和光学性质
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机译:在电信波长中发射的InAs / InP量子棒纳米线的单个和整体的极化特性
机译:InAs / InP半导体纳米结构中的垂直和面内电输送
机译:使用多种表征技术研究InAs / InAsSb超晶格的结构,光学和电学性质。
机译:使用简单的基板倾斜方法在InP(111)B基板上自催化InP / InAs / InP一维纳米结构的拉曼光谱表征
机译:新型半导体纳米结构的光学性质:纤锌矿InP / InAs / InP核-多壳纳米线
机译:Gaas和Inp衬底上生长的分子束外延Insb和Inas(X)sb(1-X)的表面形貌和电学特性