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Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications
Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications
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1.
Growth and Crystal Structure of Alq3 Single Crystals. A new structure showing π-π and CH-π interactions.
机译:
Alq3单晶的生长和晶体结构。一种显示π-π和CH-π相互作用的新结构。
作者:
Ali N. Rashid
;
Donald C. Craig
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
2.
Electrical and Optical Properties of n-type and p-type ZnO
机译:
n型和p型ZnO的电气和光学性质
作者:
D. C. Look
;
B. Claflin
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
3.
ZnO/GaN Heteroepitaxy
机译:
ZnO/Gan hetero epitaxy
作者:
K. W. Jang
;
D. C. Oh
;
T. Minegishi
;
H.Suzuki
;
T. Hanada
;
H. Makino
;
M. W. Cho
;
T. Yao
;
S. K.Hong
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
4.
ZnO Spintronics and Nanowire Devices
机译:
ZnO闪铜器和纳米线装置
作者:
David P. Norton
;
Young-Woo Heo
;
L C Tien
;
M P Ivill
;
Y Li
;
B S Kang
;
Fan Ren
;
J Kelly
;
A F Hebard
;
Stephen Pearton
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
5.
(110) InAs Quantum Dots: Growth, Single-Dot Luminescence and Cleaved Edge Alignment
机译:
(110)INAS量子点:生长,单点发光和切割边缘对齐
作者:
D. Wasserman
;
E. A. Shaner
;
S. A. Lyon
;
M. Hadjipanayi
;
A. C. Maciel
;
J. F. Ryan
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
6.
(110) In As Quantum Dots: Growth, Single-Dot Luminescence and Cleaved Edge Alignment
机译:
(110)作为量子点:生长,单点发光和切割边缘对齐
作者:
D. Wasserman
;
E. A. Shaner
;
S. A. Lyon
;
M. Hadjipanayi
;
A. C. Maciel
;
J. F. Ryan
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
7.
Prospect for Ⅲ-Nitride Heterojunction MOSFET Structures and Devices
机译:
Ⅲ-氮化物异质结MOSFET结构和装置的前景
作者:
M. A. L. Johnson
;
D. W. Barlage
;
Dave Braddock
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
8.
(110)InAs Quantum Dots:Growth,Single-Dot Luminescence and Cleaved Edge Alignment
机译:
(110)INAS量子点:生长,单点发光和切割边缘对齐
作者:
D.Wasserman
;
E.A.Shaner
;
S.A.Lyon
;
M.Hadjipanayi
;
A.C.Maciel
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
9.
Prospect for Ill-Nitride Heterojunction MOSFET Structures and Devices
机译:
氮化物质异质结MOSFET结构和装置的前景
作者:
M. A. L. Johnson
;
D. W. Barlage
;
Dave Braddock
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
10.
Intersubband Transitions in GaN/AlxGa1-xN Multi Quantum Wells
机译:
GaN / Alxga1-XN多量子阱中的间隙过渡
作者:
E. A. DeCuir Jr
;
Y. C. Chua
;
B. S. Passmore
;
J. Liang
;
M. O. Manasreh
;
J. Xie
;
H. Morkoc
;
A. Asghar
;
I. T. Ferguson
;
A. Payne
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
11.
Preparation and luminescent properties of SrS:Ce by addition of sulphur as a co-activator in SrSO_4:Ce(SO_4)_2·4H_2O by carbothermal reduction
机译:
Srs的制备和发光性能:Ce通过加入硫作为SRSO_4中的共激活剂:Ce(SO_4)_2·4H_2O通过CarbothotMal减少
作者:
P. Thlyagarajan
;
M. Kottaisamy
;
K. Sethupathi
;
M. S. R. Rao
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
12.
Intersubband Transitions in GaN/Al{sub}xGa{sub}(1-x)N Multi Quantum Wells
机译:
GaN / Al {sub} xga {sub}(1-x)n多量子阱中的步入式转换
作者:
E. A. DeCuir Jr.
;
Y. C. Chua
;
B. S. Passmore
;
J. Liang
;
M. O. Manasreh
;
J. Xie
;
H. Morkoc
;
A. Asghar
;
I. T. Ferguson
;
A. Payne
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
13.
Dispersion Engineering of Three-Dimensional Silicon Photonic Crystals: Fabrication and Applications
机译:
三维硅光子晶体的分散工程:制造与应用
作者:
Sriram Venkataraman
;
Garrett Schneider
;
Janusz Murakowski
;
Shouyan Shi
;
Dennis
;
W. Prather
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
14.
Ab-Initio Calculations for the Electronic Spectra of Cubic and Hexagonal Boron Nitride
机译:
立方和六边形氮化物的电子光谱的AB-Initio计算
作者:
Guido Satta
;
Giancarlo Cappellini
;
Valerio Olevano
;
Lucia Reining
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
15.
Intersubband Transitions in GaN/Al_xGa_(1-x)N Multi Quantum Wells
机译:
GaN / AL_XGA_(1-x)n多量子阱的INTSUBBAND转换
作者:
E. A. DeCuir Jr
;
Y.C. Chua
;
B. S. Passmore
;
J. Liang
;
M. O. Manasreh
;
J. Xie
;
H. Morkoc
;
A. Asghar
;
I. T. Ferguson
;
A. Payne
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
16.
The Definition of Multiple Bandgaps in Quantum-Dot Material by Intermixing
机译:
通过混合定义量子点材料中的多个带隙的定义
作者:
A. Catrina Bryce
;
John H. Marsh
;
Dan A. Yanson
;
Olek P. Kowalski
;
Shin-Sung Kim
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
17.
Spectroscopic analysis of external stresses in semiconductor quantum-well materials
机译:
半导体量子井材料中的外部应力的光谱分析
作者:
Jens W. Tomm
;
Mark L. Biermann
;
B. S. Passmore
;
M. O. Manasreh
;
A. Gerhardt
;
Tran
;
Q. Tien
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
18.
New Routes To Metal Chalcogenide Nanostructures
机译:
金属硫属化物纳米结构的新途径
作者:
Paul Christian
;
Paul OBrien
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
19.
Short-Period Strain-balanced GaAsi.x Nx/InAs(N) Superlattices Lattice-matched to InP(OOl): a new material for 0.4-0.6 eV mid IR applications
机译:
短时间应变平衡的Gaasi.x NX / InAs(n)超晶格与INP(OOL)匹配:新材料为0.4-0.6 EV MID IR应用
作者:
L. Husal
;
A. Alemu
;
A. Freundlich
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
20.
High Speed Ge Photodetectors on Si Platform for GHz Optical Communications in C+L Bands
机译:
C + L频段GHz光通信SI平台高速GE光电探测器
作者:
Jifeng Liu
;
Jurgen Michel
;
Douglas D. Cannon
;
Wojciech Giziewicz
;
D. Pan
;
David T. Danielson
;
Samerkhae Jongthammanurak
;
John Yasaitis
;
Kazumi Wada
;
Clifton G. Fonstand
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
21.
Short-Period Strain-balanced GaAs{sub}(1-x)N{sub}x/InAs(N) Superlattices Lattice-matched to InP(001): a new material for 0.4-0.6 eV mid IR applications
机译:
短时间应变平衡的GaAs {sub}(1-x)n {sub} x / Inas(n)超晶格栅格与INP(001)匹配:0.4-0.6 EV MID IR应用的新材料
作者:
L. Bhusal
;
A. Alemu
;
A. Freundlich
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
22.
Short-Period Strain-balanced GaAs_(1-x) Nx/InAs(N) Superlattices Lattice-matched to InP(001): a new material for 0.4-0.6 eV mid IR applications
机译:
短时间应变平衡的GaAs_(1-x)Nx / InAs(n)超晶格与INP(001)匹配:新材料为0.4-0.6 EV MID IR应用
作者:
L. Bhusal
;
A. Alemu
;
A. Freundlich
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
23.
Zinc oxide nanocluster formation by low energy ion implantation
机译:
通过低能离子注入形成氧化锌纳米光幕形成
作者:
I. Muntele
;
P. Thevenard
;
C. Muntele
;
B. Chhay
;
D. Ila
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
24.
Synthesis and Characterization of ZnO Nanoparticles
机译:
ZnO纳米粒子的合成与表征
作者:
I. U. Abhulimen
;
X. B. Chen
;
J. L. Morrison
;
V. K. Rangari
;
L. Bergman
;
K. Das
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
25.
Electrical and dielectric behavior of Pb(Mg_(1/4)Ni_(1/4)W_(1/2)O_3 ceramics
机译:
Pb的电气和介电行为(Mg_(1/4)Ni_(1/4)W_(1/2)O_3陶瓷
作者:
Adolfo Franco Junior
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
26.
Preparation of SrS:Ce/ZnO Core-Shell Nanoparticles Using Reverse Micelle Method
机译:
使用反转胶束法的制备SRS:Ce / ZnO核 - 壳纳米粒子
作者:
Yusuke Kusakari
;
Shinji Ishizaki
;
Masakazu Kobayashi
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
27.
Structural investigation of InAs/InGaAs/InP nanostructures: origin and stability of nanowires
机译:
INAS / INGAAS / INP纳米结构的结构调查:纳米线的起源和稳定性
作者:
L. Nieto
;
H. R.Gutierrez
;
J. R. R. Bortoleto
;
R. Magalhaes-Paniago
;
M. A.Cotta
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
28.
Synthesis of Highly Photoluminescent CdTe Nanocrystals and Their Incorporation into Glass Matrices
机译:
高度光致发光CDTE纳米晶体的合成及其掺入玻璃基质中的
作者:
Norio Murase
;
Chunliang Li
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
29.
Good Temperature Performances of 870nm Resonant Cavity Light Emitting Diode (RCLED)
机译:
870nm谐振腔发光二极管(rcled)的良好温度性能
作者:
Lih-Wen Laih
;
Yi-Hao Wu
;
Li-Hong Laih
;
Rong-Moo Hong
;
Hao-Chung Guo
;
Jung-Lung
;
Yu
;
Yu-Hsiang Huang
;
Yi-An Chang
;
Ren-Jiun Chang
;
Chun-Hui Yang
;
I-Tsung Wu
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
30.
Application of Low Temperature InP Wafer Bonding Towards Optical Add/Drop Multiplexer Realization
机译:
低温INP晶片键合朝向光学添加/滴多路复用器实现的应用
作者:
J. Arokiaraj
;
S.Vicknesh
;
A.Ramam
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
31.
Preparation of Ultraviolet Light Emitting ZnO Nanoparticles Via a Novel Synthesis Route
机译:
通过新型合成途径制备紫外线ZnO纳米粒子
作者:
Yuntao Li
;
Richard D. Yang
;
S.Tripathy
;
H. -J. Sue
;
N. Miyatake
;
R. Nishimura
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
32.
Site-specific formation of nanoporous silicon on micro-fabricated silicon surfaces
机译:
在微制成硅表面上的纳米多孔硅的特定于纳米芯的形成
作者:
Funs Suons Ou
;
Laxmikant V. Saraf
;
Donald R. Baer
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
33.
Composition Dependence of the Judd-Ofelt Intensity Parameters in TeO_2-PbF_2: Tm~(3+) Glasses
机译:
TM_2-PBF_2:TM〜(3+)眼镜中的Judd-elt强度参数的构成依赖性
作者:
Idris Kabalci
;
GonulOzen
;
Adrian Kurt
;
Alphan Sennaroglu
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
34.
Fabrication of ZnO Coated ZnS:Mn~(2+) Nanoparticles
机译:
ZnO涂覆ZnS:Mn〜(2+)纳米颗粒的制备
作者:
Shinji Ishizaki
;
Yusuke Kusakari
;
Masakazu Kobayashi
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
35.
Processing of deeply etched GaAs/AlGaAs quantum cascade lasers with grating structures
机译:
用光栅结构处理深层蚀刻的GaAs / Algaas量子级联激光器
作者:
S.Golka
;
M.Austerer
;
C. Pfluegl
;
W. Schrenk
;
G.Strasser
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
36.
Pt/Au and W/Pt/Au Schottky Contacts to Bulk n-ZnO
机译:
pt / au和w / pt / au肖特基联系人散装n-zno
作者:
Brent Gila
;
Andrea Onstine
;
Eric Lambers
;
Young-Woo Heo
;
David
;
Norton
;
Stephen Pearton
;
Jeffrey LaRoche
;
Fan Ren
;
Kelly Ip
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
37.
MBE-Grown GaNAsBi Matched to GaAs with 13-μm Emission Wavelength
机译:
Mbe-vanasbi与带有13μm发光波长的GaAs匹配
作者:
Masahiro Yoshimoto
;
Wei Huang
;
Kunishige Oe
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
38.
Quantum-Dot Molecules for Potential Applications in Terahertz Devices
机译:
用于太赫兹设备的潜在应用的量子点分子
作者:
Valeria Gabriela Stoleru
;
Elias Towe
;
Chaoying Ni
;
Debdas Pal
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
39.
Heterostructures with Strained InGaAs Quantum Wells for RCE Photodiode Applications in the 1.8-2 μm Spectral Range
机译:
具有紧张IngaAs量子孔的异质结构,用于RCE光电二极管在1.8-2μm光谱范围内
作者:
Jadwiga Zynek
;
Agata Jasik
;
Jaroslaw Gaca
;
Marek Wojcik
;
Wlodzimierz Strupinski
;
Jaroslaw Rutkowski
;
Artur Wnuk
;
Krzysztof Klima
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
40.
Novel Noncontact Thickness Metrology for Partially Transparent and Nontransparent Wafers for Backend Semiconductor Manufacturing
机译:
用于后端半导体制造的部分透明和非翻透晶片的新型非接触厚度计量
作者:
Wojciech J. Walccki
;
Vitali Souchkov
;
Kevin Lai
;
Phuc Van
;
Manuel Santos
;
Alexander
;
Pravdivtsev
;
S. H. Lau
;
Ann Koo
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
41.
High Quality MPCVD Epitaxial Diamond Film for Power Device Application
机译:
用于电力装置应用的高品质MPCVD外延金刚石薄膜
作者:
Jie Yang
;
Weixiao Huang
;
T. P. Chow
;
James E. Butler
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
42.
InAs Quantum Dots for Optoelectronic Device Applications
机译:
用于光电器件应用的INAS量子点
作者:
K. Stewart
;
S. Bank
;
M. Buda
;
H. H. Tan
;
C. Jagadish
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
43.
Properties of Gallium Selenide Doped with Sulfur
机译:
硒化镓掺杂硫磺的性质
作者:
Valeriy G. Voevodin
;
Svetlana A. Bereznaya
;
Zoya V. Korotchenko
;
Aleksandr N. Morozov
;
Sergey YU. Sarkisov
;
Nils C. Fernelius
;
Jonathan T. Goldstein
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
44.
The Er3+ and Yb3+-rela(ed emission from Er,Yb co-implanted Al0.70Ga0.30As/GaAs substrates prepared MOCVD method
机译:
ER3 +和YB3 + -RELA(ER的ED发射,YB共注入AL0.70GA0.30AS / GaAs基材制备的MOCVD方法
作者:
Tomoyuki. Arai
;
Shin-ichiro Uekusa
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
45.
The Er~(3+) and Yb~(3+)-related emission from Er, Yb co-implanted Al_(0.70)Ga_(0.30)As/GaAs substrates prepared MOCVD method
机译:
ER〜(3+)和YB〜(3 +)相关的来自ER的相关发射,Yb共注入Al_(0.70)Ga_(0.30),如/ Gaas底物制备的MOCVD方法
作者:
Tomoyuki.Arai
;
Shin-ichiro Uekusa
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
46.
Dielectric Properties of Semiconductors by TDDFT in Real-Space and Real-Time Approach
机译:
TDDFT在真实空间和实时方法中的半导体介电特性
作者:
Yasunari Zempo
;
Nobuhiko Akino
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
47.
The Er{sup}(3+) and Yb{sup}(3+)-related emission from Er,Yb co-implanted Al{sub}0.70Ga{sub}0.30As/GaAs substrates prepared MOCVD method
机译:
来自ER,Yb共注入的Al {Sub} 0.70AS / GaAs基材的ER,Yb {sup}(3+)和yb {sup}(3 +)相关的发射.0.70ga {sub} 0.30as / gaas底物制备的MOCVD方法
作者:
Tomoyuki Arai
;
Shin-ichiro Uekusa
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
48.
Study of Germanium Diffusion in IWO2 Gate Dielectric of MOS Device Application
机译:
MOS装置应用IWO2栅极电介质中的锗扩散研究
作者:
Qingchun Zhang
;
Nan Wu
;
L. K. Bera
;
Chunxiang Zhu
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
49.
Correlation between Photoreflectance Spectra and Electrical Characteristics of InP/GaAsSb Double Heterojunction Bipolar Transistors
机译:
INP / Gaassb双异质结双极晶体管光反射光谱与电气特性的相关性
作者:
Hiroki Sugiyama
;
Yasuhiro Oda
;
Haruki Yokoyama
;
Takashi Kobayashi
;
Masahiro Uchida
;
Noriyuki Watanabe
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
50.
Virtual Fabrication of Small Ga-As/P and In-As/P Clusters with Pre-Designed Electronic Pattern Structure
机译:
具有预先设计的电子图案结构的小型GA-AS / P和IN-AS / P簇的虚拟制造
作者:
Liudmila A. Pozhar
;
Alan T. Yeates
;
Frank Szmulowicz
;
William C. Mitchel
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
51.
Intersubband Transitions in In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs Multiple Quantum Dots of Varying Dot-Sizes
机译:
IN_(0.3)GA_(0.7)的INSUBBAND转换为/ GAAS多量子点的不同点尺寸
作者:
Y. C. Chua
;
Jie Liang
;
B. S. Passmore
;
E. A. DeCuir
;
M. O. Manasreh
;
Zhiming
;
Wang
;
G. J. Salamo
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
52.
Beam Induced Lateral Kpitaxy of GaAs on a GaAs/Si Template
机译:
光束在GaAs / Si模板上诱导了GaAs的横向kpitaxy
作者:
Shigeya Naritsuka
;
Koji Saitoh
;
Toshiyuki Kondo
;
Takahiro Maruyama
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
53.
Electric Field Enhancement of Dark Current Generation in Detectors
机译:
探测器中暗电流发电的电场增强
作者:
James P. Lavine
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
54.
Vertical and in-plane electrical transport in InAs/InP semiconductor nanostructures
机译:
InAs / InP半导体纳米结构中的垂直和面内电输送
作者:
K. O. Vicaro
;
J. R. R. Bortoleto
;
H. R. Gutierrez
;
L. Nieto
;
A. A. G. von Zuben
;
A. C. Seabra
;
P. A. Schulz
;
M. A. Cotta
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
55.
Electrical Measurement of Recombination Lifetime in Blue Light Emitting Diodes
机译:
蓝光发光二极管中重组寿命的电气测量
作者:
M. A. Awaah
;
R. Nana
;
K. Das
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
56.
Dopant Activation in bulk germanium and Germanium-on-Insulator
机译:
散装锗和绝缘体的掺杂剂活化
作者:
Y.-L. Chao
;
S. Prussin
;
J. C. S. Woo
;
R. Scholz
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
57.
Thermal Stability of InGaAs Quantum Dote Under Large Temperature Transients
机译:
indaas量子DOTE在大温瞬变下的热稳定性
作者:
R. Rangarajan
;
V. C. Elarde
;
J. J. ColemanQ
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
58.
Roughness Analysis of Episurfaces Grown on Ion-Beam Processed GaSb Substrates
机译:
离子束加工气体基板上生长的术术的粗糙度分析
作者:
K. Krishnaswami
;
D. B. Fenner
;
S. R. Vangala
;
C. Santeufemi
;
M. Grzesik
;
L. P. Allen
;
G. Dallas
;
W. D. Goodhue
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
59.
Zener tunneling of light in an optical superlattice
机译:
光学超晶格中的齐纳隧道
作者:
Mher Ghulinyan
;
Zeno Gaburro
;
Lorenzo Pavesi
;
Claudio J. Oton
;
Costanza Toninelli
;
Diederik S. Wiersma
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
60.
Towards p-type doping of ZnO by ion implantation
机译:
通过离子植入朝向ZnO的p型掺杂
作者:
V. A. Coleman
;
H. H. Tan
;
C. Jagadish
;
S. O. Kucheyev
;
M. R. Phillips
;
J. Zou
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
61.
Charge coupled cyclotron motion of electrons and holes in InGaAsN epitaxial layers
机译:
电荷耦合电子和孔的耦合回旋运动在ingaasn外延层中
作者:
H. E. Porteanu
;
O. Loginenko
;
F. Koch
;
G. Dumilras
;
L. Geelhaar
;
H. Riechert
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
62.
The General Synthesis of Nanostructured V/VI Semiconductors
机译:
纳米结构V / VI半导体的一般合成
作者:
Paul Christian
;
Paul OBrien
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
63.
Near band-edge and excitonic behavior of GaAsN epilayers grown by Chemical Beam Epitaxy
机译:
化学束外延长大的Gaasn癫痫仪的带边缘和兴趣行为
作者:
J. A. H Coaquira
;
L. Bhusal
;
W. Zhu
;
A. Fotkatzikis
;
M. -A. Pinault
;
A. P. Litvinchuk
;
A. Freundlich
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
64.
Intersubband Transitions in In{sub}0.3Ga{sub}0.7As/GaAs Multiple Quantum Dots of Varying Dot-Sizes
机译:
在{sub} 0.3ga {sub} 0.7as / gaas多量子点中的相互符号转换
作者:
Y. C. Chua
;
Jie Liang
;
B. S. Passmore
;
E. A. DeCuir
;
M. O. Manasreh
;
Zhiming Wang
;
G. J. Salamo
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
65.
Near band-edge and cxcitonic behavior of GaAsN epilayers grown by Chemical Beam
机译:
化学束生长的Gaasn癫痫仪附近的带边缘和Cxcitonic行为
作者:
J. A. H. Coaquira
;
L. Bhusal
;
W. Zhu
;
A. Fotkatzikis
;
M.-A. Pinault
;
A. P. Litvinchuk
;
A. Freundlich
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
66.
Optical characterization of hierarchically self-assembled GaAs/AlGaAs quantum dots
机译:
分层自组装的GaAs / Algaas量子点的光学表征
作者:
F.Marabelli
;
A.Rastelli
;
O. G. Schmidt
;
G.Beaurin
;
M.Geddo
;
G. Guizzetti
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
67.
Nominal PbSe nano-islands on PbTe: grown by MBE, analyzed by AFM and TEM
机译:
PBTE的标称PBSE纳米岛:由MBE生长,由AFM和TEM分析
作者:
Peter Mocek
;
Mukes Kapilashrami
;
Arvind Rao
;
Kirill Aldushin
;
Jeahuck Lee James E. Morris
;
Nigel D. Browning
;
Patrick J. McCann
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
68.
Growth and Characterization of ZnO Nanonail
机译:
ZnO纳米尾盘的生长和特征
作者:
H. W. Seo
;
D. Wang
;
Y. Tzeng
;
N. Sathitsuksanoh
;
C. C. Tin
;
M. J. Bozack
;
J. R. Williams
;
M. Park
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
69.
Atomic Force Microscopy and Spectroscopy of Self-Assembled InAsSb Quantum Dots grown on InP Substrates by MOCVD
机译:
MOCVD在INP基材上生长的自组装内置量子点的原子力显微镜和光谱
作者:
Yongkun Sin
;
Hyun I. Kim
;
Gary W. Stupian
;
Yueming Qiu
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
70.
Optical properties of CdSe and CdTe nanoparticles embedded in SiO_2 films
机译:
CDSE和CDTE纳米粒子的光学性质嵌入SiO_2薄膜中
作者:
P. Babu Dayal
;
B. R. Mehta
;
P. D. Paulson
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
71.
Improved performance of GaSb-based MIR photodetectors through electrochemical passivation in sulphur containing solutions
机译:
通过含硫溶液中的电化学钝化改善喘气的MIR光探测器的性能
作者:
A. Piotrowska
;
E. Papis
;
K. Golaszewska
;
R. Lukasiewicz
;
E. Kaminska
;
T. T. Piotrowski
;
R. Kruszka
;
A. Kudla
;
J. Rutkowski
;
J. Szade
;
A. Winiarski
;
A. Wawro
;
M. Aleszkiewicz
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
72.
Structural and Optical Effects of Capping Layer Material and Growth Rate on the Properties of Self-Assembled InAs Quantum Dot Structures
机译:
封盖层材料的结构和光学效应和生长速率对自组装INAS量子点结构的性质
作者:
Gabriel Agnello
;
Vadim Tokranov
;
Michael Yakimov
;
Matthew Lamberti
;
Yuegui Zheng
;
Serge Oktyabrsky
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
73.
Study of Germanium Diffusion in HfO_2 Gate Dielectric of MOS Device Application
机译:
MOS装置应用HFO_2栅极电介质中锗扩散的研究
作者:
Qingchun Zhang
;
Nan Wu
;
L. K. Bera
;
Chunxiang Zhu
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
74.
First-principles Calculation of Electron Mobilities in Ultrathin SOI MOSFETs
机译:
超薄SOI MOSFET中电子迁移率的第一原理计算
作者:
Matthew H. Evans
;
Xiaoguang Zhang
;
John D. Joannopoulos
;
Sokrates T. Pantelides
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
75.
Defect structures in undoped and doped ZnO films studied by solid state diffusion
机译:
通过固态扩散研究的未掺杂和掺杂ZnO膜中的缺陷结构
作者:
Haruki Ryoken
;
Isao Sakaguchi
;
Takeshi Ohgaki
;
Naoki Ohashi
;
Yutaka Adachi
;
Hajime Haneda
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
76.
Superfluorescence of Ion Beam Synthesized Dense-Packed Embedded CdSe Nanoclusters
机译:
离子束的超荧光合成密集包装嵌入式CDSE纳米团簇
作者:
H. Karl
;
I. Grosshans
;
P. Huber
;
B. Stritzker
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
77.
Beam Induced Lateral Epitaxy of GaAs on a GaAs/Si Template
机译:
光束在GaAs / Si模板上引起GaAs的横向外延
作者:
Shigeya Naritsuka
;
Koji Saitoh
;
Toshiyuki Kondo
;
Takahiro Maruyama
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
78.
Electronic and Optical Properties of SiGe alloys within first-principles schemes
机译:
第一原理方案中SiGe合金的电子和光学性质
作者:
G. Cappellini
;
G. Satta
;
M. Palummo
;
G. Onida
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
79.
Preparation of Carbon Nano-Materials Using Arc Discharge in Liquid
机译:
液体电弧放电制备碳纳米材料
作者:
Y. Suda
;
H. Kawasaki
;
T. Ohshima
;
S. Nakashima
;
S. Kawazoe
;
T. Toma
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
80.
Annealing Effects of ZnO Nanorods on DC Inorganic Electroluminescent Device Characteristics
机译:
ZnO纳米ODS对DC无机电致发光器件特性的退火效应
作者:
Shinya Sasaki
;
Hiroshi Miyashita
;
Takashi Kimpara
;
Tomomasa Satoh
;
Takashi Hirate
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
81.
Transport Properties of Polycrystalline SiGe Thin Films Grown on SiO_2
机译:
SiO_2上生长多晶SiGe薄膜的运输特性
作者:
Minoru Mitsui
;
Keisuke Arimoto
;
Junji Yamanaka
;
Kiyokazu Nakagawa
;
Kentarou Sawano
;
Yasuhiro Shiraki
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
82.
Raman spectroscopy of V and Co doped ZnO ceramics and thin films
机译:
V和CO掺杂ZnO陶瓷和薄膜的拉曼光谱
作者:
K. Samanta
;
N. Awasthi
;
B. Sundarakannan
;
P. Bhattacharya
;
R. S. Katiyar
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
83.
Intersubband Transitions in In0.3Ga0.7As/GaAs Multiple Quantum Dots of Varying Dot-Sizes
机译:
IN0.3GA0.7AS / GaAs多量子点的IntersubBand转换变化的点大小
作者:
Y. C. Chua
;
Jie Liang
;
B. S. Passmore
;
E. A. Decuir
;
M. O. Manasreh
;
Zhiming Wang
;
G. J. Salamo
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
84.
Electrical Properties of ZnO Thin Films Deposited by Pulsed Laser Deposition.
机译:
脉冲激光沉积沉积的ZnO薄膜的电性能。
作者:
S. P. Heluani
;
G. Simonelli
;
M. Villafuerte
;
G. Juarez
;
A. Tirpak
;
G. Braunstein
;
F. Vignolo
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
85.
Nickel Silicide Work Function Tuning Study In Metal-Gate CMOS Applications
机译:
金属门CMOS应用中的镍硅化物工作功能调整研究
作者:
Jun Yuan
;
Grant Z. Pan
;
Yu-Lin Chao
;
Jason C. S.Woo
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
86.
Ultrashort Pulse Generation with Semiconductor Modelocked Lasers Using Saturable Absorbers Based on Intersubband Transitions in GaN/AlGaN Quantum Wells
机译:
使用基于GaN / AlGaN量子阱中的IntersubBand转换的饱和吸收剂,用半导体型号脉冲发生超短脉冲产生
作者:
Faisal R. Ahmad
;
Paul George
;
Jahan Dawlaty
;
Fahan Rana
;
William J. Shaff
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
87.
New Electroluminescence Spectrum from Co-doped ZnS:(Mn,Si) Films Prepared by Chemical Vapor Deposition with Laser Ablation
机译:
来自共掺杂ZnS的新电致发光光谱:(Mn,Si)通过用激光烧蚀制备的薄膜制备的薄膜
作者:
Makoto Ozawa
;
Tomomasa Satoh
;
Takashi Hirate
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
88.
Longitudinal Modes in InAlGaAs/AlGaAs High-Power Laser Diodes
机译:
inalgaas / Algaas高功率激光二极管中的纵向模式
作者:
B. S. Passmore
;
Y. C. Chua
;
M. O. Manasreh
;
J. W. Tomm
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
89.
Metal-oxide Semiconductor Field-effect Transistors using Single ZnO Nanowire
机译:
使用单ZnO纳米线的金属氧化物半导体场效应晶体管
作者:
Young-Woo Heo
;
B. S. Kang
;
L. C. Tien
;
Y. Kwon
;
J. R. La Roche
;
B. P. Gila
;
F. Ren
;
S. J. Peaiton
;
D. P. Norton
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
90.
Nitrogen induced optical phonon shift in GaN_yAs_(1-y) studied by Raman Scattering
机译:
拉曼散射研究的GaN_YAS_(1-Y)中的氮气诱导光学声子偏移
作者:
Li-Lin Tay
;
David J. Lockwood
;
James A. Gupta
会议名称:
《Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials-Electronic and Optoelectonic Applications》
|
2005年
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