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机译:通过氨化沉积在Si(111)衬底上的MgO层上的Ga_2O_3膜来制备针状GaN纳米线
Institute of Semiconductor, Shandong Normal University, No. 88 East Culture Road, Ji'nan 250014, China;
epitaxial growth; crystal growth; crystal structure; GaN;
机译:射频磁控溅射氨化沉积在Si(111)上的Ga_2O_3 / Al_2O_3薄膜制备GaN纳米线
机译:通过氨化沉积在Si(111)衬底上的Ga_2O_3 / Cr薄膜来合成和表征GaN纳米线
机译:通过氨化沉积在Si(111)衬底上的Ga_2O_3 / Co薄膜合成大规模GaN纳米线
机译:ZnO膜在(0001)A1_2O_3和(111)Si衬底上沉积的ZnO膜通过MOCVD用作缓冲层的ZnO薄膜生长的GaN层
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:Si(111)衬底上ZnO / GaN异质结构纳米柱状薄膜的制备及性能
机译:Mg(OH)X层状膜的电化学生长平行于基板堆叠及其热转化为(111) - 纳米多孔MgO膜
机译:bcc过渡金属薄膜和超晶格在mgO(111),(011)和(001)衬底上的外延生长