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机译:高温下Si(111)衬底中的银扩散和缺陷形成
ON Semiconductor, 5005 E. McDowell Road, Maildrop A121, Phoenix, AZ 85008, USA;
silver diffusion; Si (111) substrate; activation energy;
机译:在升高的衬底温度下对InGaAs进行等离子体掺杂以降低薄层电阻和缺陷形成
机译:高温690合金基底上扩散阻挡层的形成及其在高温硼硅酸盐熔体中的稳定性。
机译:Fe_3Si / FeSi_2多层膜沉积在基体温度下的界面结构
机译:在611-SIC基板上由VLS和CVD在DumeryTemperatures上生长的(111)3C-SIC层的缺陷
机译:高温塑性变形过程中铝合金表面缺陷的微观机制。
机译:用于自然-SiOx / Si(111)底物的低温诱导孔形成用于自催化的GaAs纳米线的生长
机译:在各种衬底温度下在上轴3C-SiC(111)/ Si(111)基板顶部的AlN膜的溅射
机译:高温下氯化钠溶液的银 - 氯化银热电池和热液接点电位