Samsung Electronics produziert industrieweit erstes 3D-V-NAND-Flash-Memory mit 256 Gigabit

摘要

Samsung Electronics, Marktführer im Bereich innovative Speichertechnologie, hat mit der Massenproduktion des industrieweit ersten dreidimensionalen (3D)-Vertical-NAND-(V-NAND)-Flash-Memorys mit 48 vertikal gestapelten Lagen, bestehend aus 3-bit-MLC-Arrays (Multi Level Cell), begonnen. Der neue Flash-Speicher mit einer Kapazität von 256 Gb (Gigabit) wurde für den Einsatz in SSDs (Solid State Drives) entwickelt. Samsungs neues 256-Gb-3D-V-NAND-Flash-Memory verdoppelt die Speicherkapazität herkömmlicher 128-Gb-NAND-Flash-Chips. Zusätzlich zu der Möglichkeit, eine Speicherkapazität von 32 Gigabyte (256 Gb) auf einem «Die» unterzubringen, verdoppelt der neue Chip leicht die Kapazität von Samsungs vorhandenen SSD-Angeboten und ist eine ideale Lösung für Multi-Terabyte-SSDs. Samsung hat die 32-lagigen V-NAND-Chips seiner zweiten Generation (3-bit-MLC-V-NAND) im August 2014 vorgestellt. Seine V-NAND-Chips der dritten Generation mit 48 Lagen (3-bit-MLC-V-NAND) wurden in nur einem Jahr präsentiert.