三星量产第五代V-NAND 3D堆叠闪存

摘要

近日,三星宣布已经开始批量生产第五代V-NAND3D堆叠闪存.据悉,三星第五代V-NAND采用96层堆叠设计,内部集成了超过850亿个3D TLC CTF闪存存储单元,每单元可保存3比特数据,单Die容量达256Gb（32GB）.这些单元以金字塔结构堆积,并在每一层之间贯穿极微小的垂直通道孔洞,尺寸仅有几百微米宽.另外,它首次使用了ToggleDDR4.0接口界面,在存储与内存之间的数据传输率高达1.4Gbps,比上代64层堆叠提升了40%,同时电压从1.8V降至1.2V,数据写入延迟仅为500微秒,比上代提升30%,而读取信号响应时间也大幅缩短到50微秒。