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机译:使用ZrO2,ZrO2 / SiO2 / ZrO2和ZrO2 / Al2O3 / ZrO2作为电介质和TiN电极的金属-绝缘体-金属电容器的详细泄漏电流分析
Fraunhofer Center Nanoeletronic Technologies, Koenigsbruecker Str. 180, Dresden 01099, Germany;
机译:具有Ge稳定的四方ZrO2 /非晶La掺杂ZrO2电介质的高性能金属-绝缘体-金属电容器
机译:基于模型的Al / ZrO2 / Al2O3 / ZrO2 / SiO2 / Si结构中注入电流的精确分析,用于电荷捕获非易失性存储器件
机译:ZrO2 / Al2O3 / ZrO2纳米层压板泄漏电流抑制的细观分析
机译:高性能堆叠式TiO2-ZrO2和Si掺杂ZrO2金属-绝缘体-金属电容器
机译:等离子烧结8Y-ZrO2,MgAl2O4和Al2O3基复合材料的粒径/粒度相关性和力学性能
机译:MgO / Y2O3 / SiO2 / Al2O3 / ZrO2玻璃的表面结晶:定向β-Y2Si2O7层和外延ZrO2的生长
机译:通过表面处理减少漏电流,从而改善了金属铁电体(PbZr0.53Ti0.47O3)-绝缘体(ZrO2)-半导体晶体管和电容器的保持时间