机译:使用单晶片转盘MOCVD反应器对200 mm硅衬底上的外延GaN进行AlN / GaN超晶格应力工程
Veeco MOCVD Operations, Somerset, New Jersey 08873, USA;
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机译:使用单晶片旋转盘MOCVD反应器在200 mm硅衬底上均匀生长Ⅲ型氮化物
机译:使用超薄AlN / GaN超晶格中间层通过MOCVD在4英寸Si(110)衬底上生长的高质量GaN膜和AlGaN / GaN HEMT
机译:使用GaN / AlN超晶格结构研究硅衬底上的GaN晶体质量
机译:使用ALN / GAN超晶格的压力工程在200 mm Si晶片上的GaN外延
机译:在原始GaN(0001)衬底上生长的GaN / AlN超晶格中应变弛豫的特殊性:XRD和AFM的比较研究
机译:在轴上蓝宝石衬底上的N极性GaN的mOCVD生长:alN的影响 GaN表面小丘密度上的成核层
机译:单晶的生长和GaN和alN晶片的制备