机译:掩埋失配位错网络对Si(001)上Ge自组装量子点的金字塔到圆顶过渡尺寸的影响
Department of Materials Science and Engineering, University of California at Los Angeles, Box 951595, Los Angeles, CA 90095-1595, USA;
A1. atomic force microscopy; A1. misfit dislocation; A1. nanostructures; A1. transmission electron microscopy; A3. molecular beam epitaxy; B2. semiconducting materials;
机译:GaAs(001)上自组装InAs量子点的尺寸分布以实现中等InAs覆盖
机译:模板层厚度对自组装SiGe / Si量子点中应变场和跃迁能的影响
机译:InAs覆盖度对InAs量子点尺寸分布转变和光学性质的影响
机译:自组装量子点错配位错形成的尺寸效应和尺度
机译:硅(001)上具有波动应变场的锗自组装量子点(SAQD)的形成机理。
机译:失配位错能否位于InAs / GaAs(001)外延量子点的界面上方?
机译:失配位错能否位于InAs / GaAs(001)外延量子点的界面上方?