机译:热退火环境对掺杂Ga的ZnO薄膜的影响
Department of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, 134, Shinchon-dong, Seodaemoon-ku, Seoul 120-749, Republic of Korea;
A1. Adsorption; A1. Defects; A1. Desorption; A1. Doping; B2. Semiconducting Ⅱ-Ⅵ materials;
机译:热退火对掺杂Ga的ZnO薄膜电学和光学性能的影响
机译:Ga浓度和快速热退火对掺杂Ga的ZnO薄膜的结构,光电和光致发光性能的影响
机译:快速热退火对掺杂Ga的ZnO薄膜的结构和纳米机械性能的影响
机译:通过快速热退火通过RF磁控溅射在(0001)蓝宝石衬底上生长的Ga掺杂ZnO薄膜的光致发光和光学性质
机译:ZnO和ZnO基薄膜合金退火的函数的温度依赖带边缘分布分析
机译:Al掺杂ZnO和Ga掺杂ZnO透明导电氧化物薄膜的比较研究
机译:热退火对GA掺杂ZnO薄膜热电性能的影响