机译:铋流退火后不同取向GaAs衬底的表面分析。
Unite de Recherche sur I' Hetero-epitaxie et Applications, Faculte des Sciences de Monastir, 5000 Monastir, Tunisia;
A1. islands density; B1. bismuth; B1. MOVPE; B1. oriented GaAs;
机译:利用原位光谱反射率和原子力显微镜对铋流中取向错误的砷化镓衬底的光学和形态学研究
机译:热退火对在GaAs(100)衬底上生长的p型ZnSe薄膜的表面,光学和结构性质的影响
机译:利用分子束外延在(775)B取向GaAs衬底上生长的自组织量子线对垂直腔面发射激光器结构的偏振控制
机译:MOVPE生长的GaAs衬底上变质InAs(Sb)的表面形貌的生长温度和Sb流量依赖性
机译:超平自组装单层(SAM)表面形成在退火和剥离模板的金基底上。
机译:GaAsBi / AlAs量子阱中的铋量子点
机译:NH3流中Gaas(III)B表面的氮化行为及氮化Gaas(III)B作为InN mOCVD生长衬底的评价
机译:利用脉冲激光照射对(111)取向的si,Ge和Gaas表面进行了研究