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杨成良; 叶慧琪; 王文新; 高汉超; 胡长城; 刘宝利; 陈弘;
首都师范大学,物理系,北京,100048;
中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100190;
吉林大学,物理学院,吉林,长春,130031;
时间分辨克尔旋转谱; 多量子阱; 分子束外延; 光致发光;
机译:(111)A GaAs衬底上金属有机气相外延生长及GaAs / AlGaAs和InGaAs / GaAs量子阱结构的性质
机译:GaAs / AlGaAs多量子阱中的电子自旋弛豫时间在取向不佳的GaAs(110)衬底上生长
机译:MOVPE在(111)A衬底上生长的高质量GaAs / AlGaAs多量子阱结构的结构和光学性质
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:在(100)和(311)B GaAs衬底上生长的GaAs / AlGaAs多量子阱的深层瞬态光谱
机译:Gaas / alGaas量子阱中的高迁移率二维空穴系统 生长在(100)Gaas衬底上
机译:生长中断对整数和分数单层alGaas / Gaas量子阱影响的光致发光研究
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:具有量子阱-势垒层界面结构的GaAs衬底上的应变层InGaAs量子阱半导体激光器
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