机译:在m面GaN模板上实现低位错密度,光滑表面和厚GalnN膜
Faculty of Science and Technology, Meijo University, 1-501 Shiogamaguchi, Tempaku-ku, Nagoya 468-8502, Japan;
A3. metalorganic vapor phase epitaxy; B1. gallium compounds; B1. nitrides; B2. semiconducting III-V materials;
机译:使用纳米多孔GaN层将HVPE-GaN厚膜与GaN模板分离
机译:金属有机气相外延沉积在M面蓝宝石上的半极性GaN模板和外延侧向过长的薄膜的微观结构表征。
机译:外延横向生长在6H-SiC衬底上实现高晶质厚m平面GaInN薄膜的实现
机译:在降低的温度下外延生长在GaN模板上的GaN和InGaN薄膜中的螺旋型表面缺陷
机译:硅薄膜对AlGaN / GaN异质结构表面处理的严格研究。
机译:在γ-LiAlO2(100)衬底上生长的M平面GaN薄膜的生长和表征
机译:勘误表:“使用有机金属化学气相沉积GaN模板消除厚GaN膜中的不均匀性” J.应用物理90,6011(2001)
机译:在独立式GaN模板上通过mOCVD生长GaN和In(x)Ga(1-x)N薄膜的微结构