机译:直接注液化学气相沉积法在不同衬底上生长的外延NiFe_2O_4薄膜的结构特征
International Centre for Materials Science, Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Research, Jakkur P.O., Bangalore 560064, India;
International Centre for Materials Science, Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Research, Jakkur P.O., Bangalore 560064, India,Chemistry and Physics of Materials Unit, Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Research, Jakkur P.O., Bangalore 560064, India;
Centre for Materials for Information Technology, University of Alabama, Tuscaloosa, AL 35487, USA;
Centre for Materials for Information Technology, University of Alabama, Tuscaloosa, AL 35487, USA;
A1. Defects; A1. Interfaces; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Oxides; B2. Magnetic materials;
机译:通过直接液体注入化学气相沉积法在MgAl_2O_4衬底上外延生长尖晶石钴铁氧体薄膜
机译:直接液体注入化学气相沉积法生长钒酸铋薄膜电极上的光催化水氧化
机译:金属有机化学气相沉积法在Al_2O_3(1120)衬底上生长的ZnO外延膜的结构和光学性质
机译:用化学气相沉积分析yittrum稳定的氧化锆基材上种植的不同外延关系的薄膜
机译:氮化镍膜的原子层沉积和直接液化化学气相沉积及其转化为硅化镍膜。
机译:载气对薄雾化学气相沉积法生长刚玉结构外延刚玉结构α-Ga2O3薄膜质量的影响
机译:尖晶石钴铁氧体薄膜在mgal上的外延生长$ _ $ $ $ $ 4 $ 直接液体注入化学气相沉积的基板
机译:mOCVD(金属有机化学气相沉积)生长外延陶瓷氧化物薄膜的表征。