机译:金纳米粒子的表面等离子体激元提高绿色InGaN / GaN多量子阱的发射效率
Department of Photonic Engineering, Chosun University, Cwangju 501-759, Republic of Korea;
LED Team, Korea Photonics Technology Institute, Cwangju 500-460, Republic of Korea;
School of Materials Science and Engineering, Cwangju Institute of Science and Technology, Gwangju 500-712, Republic of Korea;
A1. nanostructures; A3. metalorganic chemical vapor deposition; A3. quantum wells; B1. nitrides; B2. semiconductingⅢ—Ⅴ materials; B3. light emitting diodes;
机译:通过耦合到金纳米粒子等离子体激元来增强InGaN / GaN多量子阱纳米棒的发射
机译:通过耦合到二维银阵列中的表面等离激元,增强了来自InGaN / GaN多量子阱的绿色发射。
机译:纳米球光刻技术制备的铟纳米粒子从InGaN / GaN多量子阱中产生的表面等离子体增强自发发射
机译:具有InGaN / GaN量子阱的表面等离子耦合,可提高发光效率
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:InGaN / GaN量子阱结构中的表面等离子体激元耦合动力学和辐射效率的提高
机译:通过表面等离子体耦合提高绿色发射GaInN / GaN多量子阱的内量子效率