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机译:基于多级散射现象的广义分析模型,用于估算半导体中载流子的碰撞电离率
Supreme Knowledge Foundation Group of Institutions, Mankundu, Hooghly 712139, West Bengal, India;
Institute of Radio Physics and Electronics, University of Calcutta, 92 APC Road, Kolkata 700009, India;
Carrier-carrier interaction; Impact ionization; Multistage scattering; Optical phonon scattering; 4H-SiC;
机译:基于多级散射现象的广义分析模型的额外确认,以评估半导体中载流子的电离速率
机译:声子散射引起的半导体中载流子碰撞电离率的降低
机译:倾斜磁场对半导体中载流子的碰撞电离率的影响
机译:基于多级散射现象的广义分析模型评价半导体电荷载体的电离速率 - 第I部分:Wurtzite-GaN
机译:纳米系统中的声子辅助电荷载流子动力学和光激发态现象:半导体量子点和碳纳米管。
机译:有机半导体:之字形伸长的融合π电子核:最大化载流子迁移率的分子设计策略(Adv。Sci.1 / 2018)
机译:电荷载体的能量传输模型涉及半导体中的碰撞电离
机译:等效Intervalley散射占优势的半导体中电荷载流子的解析分布