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机译:在不溶性双重抗蚀剂中加入化学放大
Osaka Univ Inst Sci & Ind Res Ibaraki Osaka 5670047 Japan|Toyo Gosei Photosensit Mat Res Ctr Inzai Chiba 701609 Japan;
Toyo Gosei Photosensit Mat Res Ctr Inzai Chiba 701609 Japan;
Osaka Univ Inst Sci & Ind Res Ibaraki Osaka 5670047 Japan;
机译:新型化学放大型抗蚀剂,结合了阴离子光酸产生剂官能团,可用于低于50 nm的半节距光刻
机译:直接将PAG掺入聚合物主链中对193 nm反应性离子刻蚀性和EUV化学放大抗蚀剂的影响
机译:光酸产生剂掺入聚合物主链中对193 nm化学放大的抗蚀剂行为和光刻性能的影响
机译:通过结合各种功能单元来改善双重不溶性抗蚀剂的性能
机译:砷化镓晶片的表面化学研究在化学放大的抗蚀剂构图过程中进行,并通过荧光进行抗蚀剂研究。
机译:通过使用非化学放大的抗蚀剂和曝光后烘烤来制造具有改善的线边缘粗糙度的高分辨率掩模
机译:包含食品染料的可见光光敏光酸产生剂,用于化学放大抗蚀剂