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机译:InGaN / GaN自组装量子点能带的深层瞬态光谱研究
Department of Physics and Quantum Photonic SRC, Hanyang University, Seoul 133-791, Korea;
deep-level transient spectroscopy; quantum dot; energy level; InGaN; GaN; capture barrier;
机译:基于多量子阱InGaN / GaN结构的发光二极管的深层瞬态光谱研究
机译:量子级联激光结构中多量子阱能带的深层瞬态光谱研究
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