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机译:基于FW-EM的AlGaN / GaN HEMT高达110GHz的精确寄生参数提取方法
Univ Elect Sci & Technol China, Sch Elect Engn, Chengdu, Sichuan, Peoples R China;
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Univ Elect Sci & Technol China, Sch Elect Engn, Chengdu, Sichuan, Peoples R China;
Univ Elect Sci & Technol China, Sch Elect Engn, Chengdu, Sichuan, Peoples R China;
AlGaN; GaN HEMTs; high frequency distribution effects; parasitic parameter model;
机译:一种应用于AlGaN / GaN HEMT的可靠模型参数提取方法
机译:利用大信号网络分析仪对偏置的AlGaN / GaN HEMT进行脉冲IV脉冲RF冷FET寄生提取
机译:AlGaN / GaN HEMT中访问寄生电阻的全貌提取:对器件线性度和沟道电子速度的影响
机译:仅使用夹断S参数测量即可在SiC衬底上提取AlGaN / GaN HEMT的寄生元素
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:通过低频s参数测量和基于TCaD的物理器件仿真识别微波功率alGaN / GaN HEmT中的GaN缓冲阱
机译:开发基于物理的alGaN / GaN HEmT有限元模型,该模型能够适应工艺和外延变化并使用多个DC参数进行校准(后印刷)