机译:Czochralski硅晶体生长过程中熔体流动不稳定性对晶体/熔体界面温度波动的影响机理
Xi An Jiao Tong Univ Sch Energy & Power Engn Minist Educ Key Lab Thermofluid Sci & Engn Xian 710049 Shaanxi Peoples R China;
Temperature fluctuation; Flow instability; Silicon; Interface; Crystal growth;
机译:Czochralski硅生长的整体模型可预测熔体-晶体界面处的氧含量和热波动
机译:横向磁场下硅直拉晶体生长中熔体晶体界面附近的温度分布分析
机译:Czochralski硅晶体生长中W形熔体/晶体界面形成的分析
机译:磁场对直晶硅生长中熔体-晶体界面形状和熔体流动的影响
机译:过共晶铝硅熔体生长的硅晶体的微结构控制和成核及生长机理的研究。
机译:溶剂化物海绵晶体(DMF)3NACLO4:可逆压力/温度控制熔融/压铸钠离子导体中的榨汁机
机译:Czochralski技术生长磁性硅单晶过程中零高斯平面的位置对熔体界面氧浓度的影响
机译:晶体生长期间的温度和熔体固体界面控制