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李向明; 董国鹏; 王自东; 林丹凤;
北京科技大学应用科学学院;
北京科技大学材料科学与工程学院;
山东交通职业学院基础部;
晶体生长; 平界面; 界面稳定性; 渐近分析;
机译:Bi4Ge3O12用于熔体晶体生长的过冷和界面形态:实验结果
机译:共聚物薄膜中的非手持条带熔体:具有不寻常的晶体熔体界面的快速节律晶体生长
机译:粉末合成,PbMoO4晶体的生长以及它们在各种介质中的退火所伴随的物理和物理化学过程:II。熔体蒸发和过冷导致的晶体-熔体界面形状
机译:三维非定常熔体对流对氧化物CZ晶体生长中熔体/晶体界面形状的影响
机译:纯材料从其熔体凝固过程中的界面不稳定性。
机译:纯GeSi和Ge-Si合金过冷熔体中的晶体生长动力学
机译:GE-SB-SE-TE过冷熔体晶体生长和粘度分析
机译:静磁场作用下纯镍过冷熔体中树枝生长速度的测量。
机译:纵向过冷熔体或熔体溶液的晶体生长方法和设备
机译:提拉装置的自动控制包括首先将籽晶放入坩埚中的熔体中,然后以晶体生长的速度从熔体中拉出以形成晶体块
机译:高温法测量晶体生长工厂中熔体的温度或温度分布,包括通过红外辐射源加热熔体区域并中断辐射源对熔体区域的影响
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