机译:IMPATT装置作为太赫兹的潜力来源:一种基于雪崩响应时间的方法来确定上限截止频率极限
Department of Radio Physics and Electronics, Institute of Radio Physics and Electronics, University of Calcutta, Kolkata, India;
Department of Radio Physics and Electronics, Institute of Radio Physics and Electronics, University of Calcutta, Kolkata, India;
Avalanche response time; DDR IMPATTs; Terahertz source; Wide bandgap materials;
机译:半导体金刚石作为毫米波和太赫兹IMPATT器件基础材料的潜力
机译:4T-SiC双漂移区IMPATT器件在0.7太赫兹频率范围内作为光敏大功率光源的前景
机译:基于宽带隙半导体作为潜在太赫兹源的IMPATT器件的前景
机译:雪崩响应时间对DDR硅IMPATT器件上光子通量事件的依赖性
机译:PC 12嗜铬细胞瘤细胞对同步辐射源超高频太赫兹辐射的反应
机译:4H-SIC双漂移区域的前景IMPATT设备作为0.7太赫兹频率制度的光敏高电源
机译:使用周期性轮询的频率转换装置开发高效,紧凑,稳健且可调谐的IR和太赫兹光源