机译:具有光晕结构的30 nm FinFET和双栅极MOSFET的设计
Center for Interdisciplinary Research, Tohoku University, Sendai-shi, 980-8578 Japan and JST-CREST, Tokyo, 102-0075 JapanrnCenter for Interdisciplinary Research, Tohoku University, Sendai-shi, 980-8578 Japan and JST-CREST, Tokyo, 102-0075 JapanrnCenter for Interdisciplinary Research, Tohoku University, Sendai-shi, 980-8578 Japan and JST-CREST, Tokyo, 102-0075 Japan;
FinFET; halo I/I; MOSFET; threshold voltage roll-off; S-factor;
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