Future High Density Memory with Vertical Structured Device Technology

Tetsuo Endoh

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Future High Density Memory with Vertical Structured Device Technology

机译：垂直结构设备技术的未来高密度存储器

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For the past thirty years, the downscaling has been the guiding principle in the field of High-density semiconductor memories. However, recently, the limit of planar-bulk MOSFETs is becoming apparent. Therefore, in order to extend the scalability of memory technology to the nano-scale generation; a new device structure is necessary. From the viewpoint, I will discuss future High density Memory with Vertical structured device technology.

机译：在过去的三十年中，缩小尺寸一直是高密度半导体存储器领域的指导原则。但是，近来，平面体MOSFET的局限性日益明显。因此，为了将存储技术的可扩展性扩展到纳米级一代；需要一种新的设备结构。从这个角度来看，我将讨论未来的垂直结构设备技术的高密度存储器。

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来源
《電子情報通信学会技術研究報告》 |2009年第98期|p.193-196|共4页
作者
Tetsuo Endoh;
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作者单位

Center for Interdisciplinary Research, Tohoku University, Aramaki aza Aoba 6-3, Aoba-ku, Sendai, 980-8578 Japan;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类
关键词
memory; flash memory; DRAM; 3D structure; vertical device; stacked vertical device;

机译：记忆;闪存DRAM;3D结构;垂直设备堆叠式垂直设备;

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