アモルファスシリコン光導電素子の周波数応答

摘要

これまで、アモルファスシリコン（a-Si）光導電素子の静特性については多数報告されてきたが、動特性に関する報告はほとんどなかった。そこで、我々はa-Si光導電素子を作製し、波長650nmにおける感度および周波数特性評価を行った。電極パターンはフォトリソグラフィによって形成し、リフトオフ法によりNiを蒸着した。a-SiはSiO_2基板上にCat-CVD法により1．2μm 厚堆積させたものを使用した。受光部は櫛型電極構造を形成しており、受光部面積は5μm ×5μm 、電極幅・電極間隔はそれぞれ1μm 、3μm である。作製した素子の特性評価を行ったところ、波長650nm において最大感度4．6mA/W、最大帯域相MHz＠V_(bias)＝50Vを得た。%We fabricated an amorphous silicon (a-Si) photoconductor and measured a sensitivity and frequency characteristics at a wavelength of 650nm. a-Si layers are deposited by the catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD). The electrodes are patterned by the photolithography and the liftoff process. The electrodes pattern is formed by comb structure, the receiving area of 50μm × 50μm and the electrode width of 1μm. The sensitivity of 4.6 mA/W and the maximum bandwidth of 18MHz were obtained at the wavelength of 650 nm and the bias voltage of 50V.