アモルファスシリコン光導電素子の周波数応答

摘要

これまで、アモルファスシリコン（a-Si）光導電素子の静特性については多数報告されてきたが、動特性に関する報告はほとんどなかった。そこで、我々はa-Si光導電素子を作製し、波長650nmにおける感度および周波数特性評価を行った。電極パターンはフォトリソグラフイによって形成し、リフトオフ法によりNiを蒸着した。a-SiはSiO_2基板上にCat-CVD法により1.2μm厚堆積させたものを使用した。受光部は櫛型電極構造を形成しており、受光部面積は50μm×50μm、電極幅·電極間隔はそれぞれ1μm、3μmである。作製した素子の特性評価を行ったところ、波長650nmにおいて最大感度4.6mA/W、最大帯域18MHz＠V_(bias)＝50Vを得た。