PIN ダイオード容量補償シリーズ型2段構成SPDT高周波スイッチ

摘要

High-frequency switches can be used in wireless communication equipments where low insertion loss and high isolation are required, hi fabricating high frequency switches with PIN diodes, an effect due to the PIN diode reverse-biased capacitance needs to be considered in order to obtain a good performance. In this study, a two-stage series SPDT high frequency switch considering the capacitance compensation is presented by introducing a transmission-line parallel to a PIN diode. In a measurement, an insertion loss less than 0.5dB, isolation more than 45dB and a good agreement with simulation at 2.5GHz were obtained.%PINダイオード容量の補償を考慮した2段構成シリーズ型SPDT高周波スイッチを製作した．高周波スイッチは無線通信機器で使用され，低挿入損・高アイソレーションが求められる．PINダイオードを用いて高周波スイッチを製作する場合，良好な特性を得るためにはPIN ダイオード容量の影響を考慮する必要がある．本研究では，PIN ダイオード容量を伝送線路によって補償した高周波スイッチを製作した．測定の結果，2.5GHzにおいて，0.5dB以下の挿入損，45dB以上のアイソレーションが得られ，シミュレーションとの一致も良好であった．