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机译:铜CMP中具有冲蚀边缘的晶片轮廓演变过程的研究
School of Mechanical & Electronical Engineering, Lanzhou University of Technology, Lanzhou, China;
SKW Associates, Santa Clara, CA, USA;
School of Mechanical & Electronical Engineering, Lanzhou University of Technology, Lanzhou, China;
Copper; Ear; Semiconductor device modeling; Force; Data models; Simulation; Linear systems;
机译:晶圆级包装工艺中分叉晶圆翘曲演化的实验与理论研究
机译:使用超声辅助固定磨料CMP(UF-CMP)对硅晶圆边缘进行镜面抛光
机译:晶圆边缘几何形状对化学机械抛光中去除速率分布的影响:晶圆边缘滚落和缺口
机译:用频率成分算法建模铜CMP的腐蚀边缘腐蚀演化过程。
机译:钨和铜的化学机械平面化(CMP)工艺的基础研究。
机译:碳边缘位点的放氧反应:与多环芳烃的活性演化及结构-功能关系的研究
机译:晶圆边缘轮廓对STI-CMP工艺性能的影响:基于FEM分析计算的晶片表面压力(机器元件,设计和制造)