机译:具有厚的高浓度p发射极的p层穿通结构,用于光触发晶闸管
photothyristors; power semiconductor switches; semiconductor device measurement; semiconductor device models; semiconductor device testing; 5.5 kA; 6 kV; depletion layer; high-concentration p layer; light-triggered thyristor; low-concentration p layer; on-state vol;
机译:p / sup-/层穿通结构,带有厚的高浓度p发射极,用于光触发晶闸管
机译:拉曼光谱分析对厚热线氢浓度和微观结构的反射分析A-Si:H薄膜掺杂为晶体层的前体层
机译:具有厚有机层结构的耐压磷光有机发光二极管的电流密度和频谱分析
机译:p / sup-/-具有高浓度p发射极的层穿通结构,用于光触发晶闸管
机译:发光异质晶闸管。
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机译:用于电力系统的光触发晶闸管(第2阶段)。中期报告