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机译:基于交叉开关的非易失性随机访问存储器的潜行测试
Department of Electrical and Computer Engineering, Polytechnic Institute of New York University, Brooklyn , USA;
Circuit faults; Memristors; Nonvolatile memory; Phase change materials; Random access memory; Resistance; Testing; Memristors; nonvolatile memory (NVM); phase-change memory (PCM); testing;
机译:具有垂直自旋扭矩传递磁性随机存取存储单元和最少数量晶体管的常关型非易失性静态随机存取存储器
机译:基于自旋转矩磁隧道结的伪自旋晶体管架构的非易失性静态随机存取存储器和非易失性触发器的非易失性门控现场可编程门阵列
机译:使用普通静态随机存取存储单元的并行可编程非易失性存储器
机译:构建基于能量高效的交叉开关的忆阻型随机存取存储器
机译:纳米级非易失性存储器电路设计使用新出现的自旋转移扭矩磁随机存取存储器
机译:有机-无机杂化钙钛矿非易失性电阻随机存取存储器中有关晶粒尺寸的记忆效应行为
机译:架构节能横杆的忆阻随机访问记忆
机译:非易失性随机存取存储器