机译:使用GeSbSnOx热光刻光刻胶的深干蚀刻图案化硅
$^{1}$ Department of Chemical Engineering,, National United University,, Miaoli , Taiwan;
Inorganic photo-resist; reactive ion etching; reaming effect in the silicon wafer; reflection measurement; thermal mode lithography;
机译:二维动态CA方法用于光刻胶刻蚀模拟的改进及其在SU-8光刻胶深紫外光刻模拟中的应用
机译:双光刻和深反应离子刻蚀制备的疏水性硅纳米结构阵列的大规模图案化
机译:双光刻和深反应离子刻蚀制备的疏水性硅纳米结构阵列的大规模图案化
机译:将PS-b-PDMS直接自组装成193 nm光刻胶图案,并通过等离子蚀刻转移到硅中
机译:使用灰度光刻和深反应离子刻蚀开发深硅相菲涅耳透镜
机译:打印到图案的干膜光刻胶光刻
机译:双光刻和深反应离子刻蚀制备的疏水性硅纳米结构阵列的大规模图案化
机译:远(深)紫外高强度激光(准分子)辐射脉冲在聚合物中的孔形成(蚀刻)及其与聚合物深紫外光解中光刻胶的相关性