机译:应对:新兴的STT-MRAM缓存的读/写错误率感知编码技术
Sharif Univ Technol, Dept Comp Engn, Tehran 1115511365, Iran;
Inst Res Fundamental Sci IPM, Sch Comp Sci, Tehran 1953833511, Iran;
Inst Res Fundamental Sci IPM, Sch Comp Sci, Tehran 1953833511, Iran|Amirkabir Univ Technol, Dept Comp Engn & Informat Technol, Tehran 158754413, Iran;
Data coding; read disturbance; spin-transfer torque magnetic ram (STT-MRAM) cache; write failure;
机译:AWARE(具有冗余块的非对称写入体系结构):高写入速度STT-MRAM缓存体系结构
机译:销售:巧妙地分配低成本的数位ECC,用于缓解STT-RAM缓存中的读写错误
机译:TA-LRW:STT-MRAM缓存中减少错误率的替换策略
机译:13.3采用写验证写方案和偏移消除传感技术,采用22FFL FinFET技术的7Mb STT-MRAM,在0.9V时具有4ns的读取感测时间
机译:同步独立写缓存:一种新颖的RAID感知SSD的写缓存。
机译:重复识别建模和短读错误纠正
机译:电阻式Ram最后一种写耐久性感知管理技术 级别缓存
机译:修改后的读传真代码的错误处理技术