机译:使用与准光学天线电路和MMIC集成在一起的AlGaAs / InGaAs HEMT,以光学方式产生60 GHz毫米波
机译:具有四分之一微米Au / WSi栅极AlGaAs / InGaAs HJFET的毫米波MMIC
机译:使用AlGaAs / InGaAs拟态HEMT的超低噪声50 GHz频带放大器MMIC
机译:使用皮秒光脉冲和FET与印刷电路天线集成在一起以产生毫米波辐射
机译:使用InGaAs HEMT和准光学电路以光学方式产生60 GHz
机译:采用商用0.12微米硅锗HBT技术的30 GHz和90 GHz的Ka波段和W波段毫米波宽带线性功率放大器集成电路,输出功率超过100 mW
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:基于300 GHz fT变形HEMT技术的集成电路,用于毫米波和混合信号应用
机译:用于毫米波和亚毫米波电源的先进高电子迁移率晶体管(HEmT)单片毫米波集成电路(mmIC)电路