机译:采用商用0.12微米硅锗HBT技术的30 GHz和90 GHz的Ka波段和W波段毫米波宽带线性功率放大器集成电路,输出功率超过100 mW
University of Michigan.;
机译:G波段(140-220 GHz)和W波段(75-110 GHz)InP DHBT中功率放大器
机译:在90纳米,300 GHz SiGe HBT技术中实现的W波段(75-110 GHz)雷达下变频混频器中的单事件效果
机译:用于毫米波(Bi)CMOS集成电路的30-100 GHz电感器和变压器
机译:InP HBT中的71–95 GHz(23–40%PAE)和96–120 GHz(19–22%PAE)高效100–130 mW功率放大器
机译:CMOS和硅锗HBT技术中2.4 GHz和5 GHz RFIC前端组件的设计。
机译:用于毫米波(Bi)CMOS集成电路的30–100 GHz电感器和变压器