机译:用于光学互连的GaInAsP / InP膜激光器
Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan;
DFB laser; GaInAsP/InP; III–V materials; Si-on-insulator (SOI) circuits; distributed reflector (DR) laser; optical interconnect; optical wiring; semiconductor laser; single-mode laser;
机译:GaInAsP / InP膜埋藏异质结构分布聚合物包覆层的85W连续波工作
机译:用于单片集成光波导隔离器的GaInAsP / InP 1.3μm-TM激光器的GSMBE生长
机译:压缩应变GaInAsP-InP量子线激光器中光学增益的面内偏振异常
机译:在硅衬底上集成了GaInAsP波导的GaInAsP / InP横向电流注入膜DFB激光器
机译:用于量子盒激光器的GaInAsP / InP有机金属气相外延(OMVPE)
机译:通过采用光学光谱分程利用基于INP的量子级联激光器的InGaAs层的非接触式测量
机译:用于光学互连的GaInasp / Inp薄膜激光器
机译:具有GaInasp光学限制层的超高效GaInasp / Gaas应变层量子阱激光器(Lambda = 980nm)。 (重新公布新的可用性信息)