東京工業大学;
机译:使用有机金属气相外延在桥接掩模生长中InP的生长特性
机译:金属有机气相外延生长连续梯度折射率分离禁区异质结构(GRIN-SCH)InGaAs-InP长波长应变层量子阱激光器及其表征
机译:高频掩埋异质结构1.5μm GaInAsP / InP激光器,在两个外延生长步骤中完全由金属有机气相外延生长
机译:金属有机气相外延生长的高质量应变GaInAsP / GaInAsP量子阱激光结构
机译:1.5--1.6μm波长GaInAsP / InP注入激光器
机译:通过采用光学光谱分程利用基于INP的量子级联激光器的InGaAs层的非接触式测量
机译:低压金属有机气相外延生长的应变In1-xGaxAsyP1-y / InP量子阱异质结构
机译:GaInasp和Inp的气相外延