机译:电反射光谱法测量InGaN / AlGaN多量子阱近紫外发光二极管中的压电场
Hanyang Univ Dept Elect & Commun Engn ERICA Ansan 15588 South Korea;
Hanyang Univ Dept Elect & Commun Engn ERICA Ansan 15588 South Korea|Hanyang Univ Dept Photon & Nanoelect ERICA Ansan 15588 South Korea;
Hanyang Univ Dept Photon & Nanoelect ERICA Ansan 15588 South Korea|Hanyang Univ Dept Bionanotechnol ERICA Ansan 15588 South Korea;
Light-emitting diodes; electroreflectance; photocurrent; defects; flat-band voltage; piezoelectric field;
机译:通过电气反射光谱测量的基于INGAN基量子阱的压电场:从近紫外线到绿色光谱
机译:使用电反射光谱法确定应变松弛层对InGaN / GaN多量子阱结构中内部电场测量的影响
机译:InGaN / GaN多量子阱发光二极管中少数载流子陷阱的深层瞬态光谱测量过程中的观察
机译:使用电反射和光电流谱研究基于InGaN的发光二极管的光学过程
机译:高效紫色和蓝色IngaN微胶囊发光二极管
机译:InGaN / GaN多量子阱发光二极管中的光电性能变化:电位波动的影响
机译:具有掩埋偏振诱导的N-AlGaN / Ingan / P-AlGaN隧穿接线的UV发光二极管
机译:五个发光二极管的光谱,远场和近场测量