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0.7 V Manchester carry look-ahead circuit using PD SOI CMOS asymmetrical dynamic threshold pass transistor techniques suitable for low-voltage CMOS VLSI systems

机译:采用PD SOI的0.7 V曼彻斯特超前提前电路CMOS非对称动态阈值通过晶体管技术,适用于低压CMOS VLSI系统

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摘要

The authors report a 0.7V Manchester carry look-ahead circuit using partially depleted (PD) SOI CMOS dynamic threshold (DTMOS) techniques for low-voltage CMOS VLSI systems. Using an asymmetrical dynamic threshold pass-transistor technique with the PD-SOI DTMOS dynamic logic circuit, this 0.7V PD-SOI DTMOS Manchester carry look-ahead circuit has an improvement of 30% in propagation delay time compared to the conventional Manchester carry look-ahead circuit based on two-dimensional device simulation MEDICI results.
机译:作者报告了针对低压CMOS VLSI系统使用部分耗尽(PD)SOI CMOS动态阈值(DTMOS)技术的0.7V曼彻斯特进位超前电路。与PD-SOI DTMOS动态逻辑电路一起使用非对称动态阈值传输晶体管技术,与传统的Manchester进位外观相比,该0.7V PD-SOI DTMOS曼彻斯特进位超前电路的传播延迟时间缩短了30%。基于二维器件仿真的超前电路MEDICI结果。

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