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采用CMOS技术中电流模式技术的精确电压/电流参考电路

摘要

一种电压/电流参考电路包括第一双极型晶体管各第二双极型晶体管,它们分别呈现出第一电压降VBE1和VBE2。第一电阻器具有电阻R1,其构成流过的第一电流等于(VBE1-VBE2)/R1。第二电阻器具有电阻R2,其构成流过的第二电流等于VBE1/R2。第一晶体管降第一和第二电阻器提供第一和第二电流。第二晶体管具有与第一晶体管相关的电流镜结构,直接提供等于VBE1-VBE2)/R1+VBE1/R2的参考电流。第三晶体管具有与第一晶体管相关的电流镜结构,所提供的电流等于流过第三电阻器和第三双极型晶体管的参考电流,其中,第三电阻器具有电阻R3,以及第三双极型晶体管呈现出第三电压降VBE3,从而产生参考电压。

著录项

  • 公开/公告号CN100543632C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-09-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 IDT-紐威技术有限公司;

    申请/专利号CN03154092.9

  • 发明设计人 O·-Y·秦;H·杨;Y·F·谷;

    申请日2003-08-15

  • 分类号G05F3/02(20060101);G05F3/24(20060101);

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人顾嘉运

  • 地址 200233 上海市宜山路900号技术大厦A区

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-09-23

    授权

    授权

  • 2006-10-04

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-02-16

    公开

    公开

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