机译:栅沉对InGaP / AlGaAs / InGaAs增强模式PHEMT器件性能的影响
机译:利用液相氧化GaAS改善增强型Ingap / InGaAs Phemt的低频噪声和微波性能,没有闸门凹槽
机译:采用钯栅技术的高热稳定性AlGaAs / InGaAs增强模式pHEMT
机译:高热稳定性Algaas / Ingaas增强模式PHEM使用PD埋设栅极技术
机译:高功率拟晶AlGaAs / InGaAs高电子迁移率晶体管的材料,物理学,器件物理学和技术。
机译:使用液相沉积的TiO2作为栅介质的AlGaAs / InGaAs PHEMT的亚阈值特性和闪烁噪声降低
机译:采用液相沉积TiO2作为栅介质降低alGaas / InGaas pHEmT的亚阈值特性和闪烁噪声