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机译:铁电/半导体/隧道结叠层,用于无损低功耗读出存储器
Faculty of Engineering and Natural Sciences, Sabanci University, Istanbul, Turkey;
Ferroelectric thin-film memory; nondestructive readout; semiconductors (SCs); tunnel junction; tunnel junction.;
机译:用于低功耗的非易失性铁电存储器和氧化物半导体薄膜晶体管组成的显示驱动电路的读出调制方案
机译:基于高性能的聚合物半导体的非易失性存储器,具有非破坏性读数
机译:使用Al-掺杂的HFO2薄膜的金属 - 铁电 - 绝缘子 - 半导体栅极叠层的铁电场效应存储器晶体管的长期和高温保留稳定性的改进
机译:用于低功耗和高度可靠的企业SSD的铁电NAND闪存和0.5V低功耗CPU和SOC的铁电6T-SRAM
机译:基于铁电Langmuir-Blodgett聚偏二氟乙烯共聚物薄膜的金属-铁电绝缘体-半导体结构的表征,用于无损随机存取存储器。
机译:CMOS兼容的铁电NAND闪存用于高密度低功耗和高速三维内存
机译:具有非晶氧化物半导体的金属铁电半导体非易失性存储器中的聚偏二氟乙烯-三氟乙烯的铁电转换
机译:具有非破坏性读出的薄膜存储元件