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颜雷; 黄维宁; 姜国宝; 汤庭鳌;
上海复旦大学电子工程系微电子研究室!上海;
200433;
铁电存储器; 电滞回线; FRAM; 阈值电压窗口;
机译:光子分子器件:可逆光开关荧光团,用于光学存储器的非破坏性读出
机译:用于非挥发性存储器电池外延超导 - 铁电异质结构的增强铁电偏振
机译:不对称偏振写入的非破坏性读出型铁电记忆的压印抗性改善
机译:铁电随机存取存储器(FeRAMS)细胞和非破坏性读出(NDRO)
机译:铁电电容存储器:自主非易失性铁电存储器锁存器的特性。
机译:源于非挥发性存储器非晶膜中氧空位偶极子的类铁电行为
机译:用于非破坏性读出铁电畴壁电阻开关存储器的高导电域壁的临时形成
机译:新型非破坏性绝缘体上硅非易失性存储器-LDRD 99-0750最终报告
机译:驱动非破坏性非挥发性铁电随机访问存储器的电路
机译:非破坏性读出铁电存储器及其制造和操作方法
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