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机译:介电调制漂移区的综合分析研究-第二部分:开关性能
Institute of Electronics Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan;
Analytical model; dielectric modulation; silicon; silicon carbide (SiC); superjunction (SJ); switching loss; switching loss.;
机译:介电调制漂移区的综合分析研究-第一部分:静态特性
机译:硅功率器件介电调制漂移区的理论分析
机译:具有介电调制漂移区的LDMOSFET
机译:基于3S技术和农民调查的土地质量综合评价-以长城,黄土高原风沙区交错带为例
机译:Rad52与Ku70 / Ku86竞争与结合区域DSB末端的结合,从而调节免疫球蛋白类开关DNA重组。
机译:反馈对任务转换性能的影响:漂移扩散建模帐户
机译:双极互补调制转换器腿GaN和Si功率装置的开关性能的比较研究